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STB21NM50N中文资料

STB21NM50N图片

STB21NM50N外观图

  • 大小:633.75KB
  • 厂家:STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
  • 描述:N-CHANNEL 500V - 0.15ohm - 18A TO-220/FP/D2/I2PAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET
  • 标准包装:1
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:MDmesh™
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss):500V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:190 毫欧 @ 9A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:65nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:1950pF @ 25V
  • 功率 - 最大:140W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装:D2PAK
  • 包装:Digi-Reel?
  • 其它名称:497-5783-6

STB21NM50N供应商

更新时间:2023-01-25 22:15:45
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